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PSMN2R8-80BS,118  与  IPB025N08N3 G  区别

型号 PSMN2R8-80BS,118 IPB025N08N3 G
唯样编号 A-PSMN2R8-80BS,118 A-IPB025N08N3 G
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK 系列:OptiMOS™
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.5mΩ
上升时间 - 73ns
漏源极电压Vds 80V 80V
Pd-功率耗散(Max) 306W 300W
输出电容 847pF -
栅极电压Vgs 3V 20V
典型关闭延迟时间 - 86ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 PG-TO263-3
工作温度 175℃ -55°C~175°C
连续漏极电流Id 120A 120A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS™
输入电容 9961pF -
长度 - 10mm
Rds On(max)@Id,Vgs 3mΩ@10V -
下降时间 - 33ns
典型接通延迟时间 - 28ns
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 0 1,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税)
200+ :  ¥16.4177
400+ :  ¥13.4572
800+ :  ¥11.7019
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN2R8-80BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN2R8-80BS_SOT404 N-Channel 306W 175℃ 3V 80V 120A

¥16.4177 

阶梯数 价格
200: ¥16.4177
400: ¥13.4572
800: ¥11.7019
0 当前型号
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