PSMN2R8-80BS,118 与 IPB025N08N3 G 区别
| 型号 | PSMN2R8-80BS,118 | IPB025N08N3 G | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PSMN2R8-80BS,118 | A-IPB025N08N3 G | ||
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK | 系列:OptiMOS™ | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散Pd | 306W | 300W | ||
| 宽度 | - | 9.25mm | ||
| 上升时间 | - | 73ns | ||
| 漏源极电压Vds | 80V | 80V | ||
| 输出电容 | 847pF | - | ||
| 栅极电压Vgs | 3V | 20V | ||
| 典型关闭延迟时间 | - | 86ns | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | SOT404 | PG-TO263-3 | ||
| 工作温度 | 175°C | -55°C~175°C | ||
| 连续漏极电流Id | 120A | 120A | ||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||
| 配置 | - | Single | ||
| 系列 | - | OptiMOS™ | ||
| 输入电容 | 9961pF | - | ||
| 长度 | - | 10mm | ||
| 下降时间 | - | 33ns | ||
| 典型接通延迟时间 | - | 28ns | ||
| 导通电阻Rds(On) | 3mΩ@10V | 2.5mΩ | ||
| 高度 | - | 4.4mm | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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PSMN2R8-80BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 3mΩ@10V 306W 175°C 3V 80V 120A |
￥20.0398
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0 | 当前型号 | ||||
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AOB290L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 100V 20V 140A 500W 3.2mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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IPB025N08N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
PG-TO263-3 80V 120A 2.5mΩ 20V 300W N-Channel -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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IRFS3107TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 370W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3mΩ@140A,10V N-Channel 75V 230A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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AOB282L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 80V 20V 105A 272.5W 3.2mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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IRFS3107PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 370W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3mΩ@140A,10V N-Channel 75V 230A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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